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宽禁带半导体电力电子器件及其应用
作 者：陈治明，李守智 编著
出 版 社：机械工业出版社
出版时间：2009-1-1
版 次：1
页 数：280
I S B N：9787111251651
定 价：￥36.00
内容简介
本书介绍碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体电力电子器件的原理、特性、设计制造方法及应用，概括了这一新领域十余年来的主要成就。内容包括：半导体物理基础，电力电子器件的基本原理、特性及典型器件，电力电子器件的材料优选，碳化硅整流器、功率MOSFET、功率JFET和MEsFET、BJT、SICG、IGBT、碳化硅功率集成电路中的高压器件、氮化镓功率器件、金刚石器件、宽禁带半导体功率模块，以及宽禁带半导体电力电子器件在开关电源功率因数校正器和各种电力变换器中的典型应用等。
本书面向电力电子技术、自动化技术以及能源技术等领域的广大工程技术人员和研究生，在满足器件专业人士对宽禁带半导体电力电子器件研发问题的深度要求的同时，也尽可能照顾到非专业人士的知识背景。
目录
电力电子新技术系列图书序言
前言
第1章 绪论
1.1 电力电子器件概述
1.1.1 电力电子器件的基本构成
1.1.2 电力电子器件的分类及特点
1.2 发展沿革与趋势
参考文献
第2章 电力电子器件基础
2.1 半导体物理基础
2.1.1 半导体与金属中的载流子
2.1.2 电子在金属和半导体中的能量分布与跃迁
2.1.3 半导体的热敏感性
2.2 电力电子器件的基本原理与特性
2.2.1 整流原理与阻断特性
2.2.2 开关原理与频率特性
2.2.3 电导调制原理与通态特性
2.2.4 功率损耗原理与高温特性
2.3 典型电力电子器件及其特性
2.3.1 二极管
2.3.2 双极型晶体管（BJT）
2.3.3 场效应晶体管（FET）
2.3.4 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
2.3.5 其他电力电子器件
参考文献
第3章 电力电子器件的材料优选
3.1 单极型器件的材料优选
3.1.1 低频器件
3.1.2 高频器件
3.1.3 场效应器件的最高工作频率
3.2 双极型器件的材料优选
3.2.1 Johnson因子
3.2.2 Keyes因子
3.3 耐高温器件的材料优选
3.3.1 热优选因子
3.3.2 不同材料器件高温特性的比较
3.4 电力电子器件的优选材料
3.4.1 碳化硅
3.4.2 氮化镓及其固溶体
3.4.3 半导体金刚石
参考文献
第4章 宽禁带半导体电力电子器件
4.1 碳化硅单极型器件
4.1.1 肖特基势垒二极管
4.1.2 功率MOSFET
4.1.3 JFET和SIT
4.1.4 MESFET
4.2 碳化硅双极型器件
4.2.1 pn结二极管
4.2.2 双极型晶体管（BJT）
4.2.3 晶闸管和GT0晶闸管
4.2.4 碳化硅GCT（SICGT）
4.3 碳化硅IGBT
……
第5章 宽禁带半导体电力电子器件的应用
参考文献
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发表于 2012-4-18 17:57:34
发表于 2012-4-19 14:17:09
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